1200v, 25a IGBT7 S7, TO-247封装中有反并联二极管
硬开关1200 V, 25 A TRENCHSTOP IGBT7 S7离散在TO-247封装与EC7二极管内部。它提供了低V(CEsat),以实现在目标应用中非常低的传导损耗,并且co-packed very soft and fast emitter controlled diode有助于最小化开关损耗,有助于整体低总损耗。
特征描述
优势