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型号 品牌 描述 库存 包装 交货地(工作日) 操作
N25Q064A11ESE40F MICRON/镁光 1500 1500 中国内地:1-2工作日
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N25Q064A11ESE40F MICRON/美光 0 1 中国内地:3-5工作日
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规格参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期 Obsolete
包装说明 SOP,
是否符合REACH标准 compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
搜索热度 1865
风险等级 9.51
最大时钟频率 (fCLK) 108 MHz
JESD-30 代码 S-PDSO-G8
长度 5.285 mm
内存密度 67108864 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 1
功能数量 1
端子数量 8
字数 67108864 words
字数代码 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 64MX1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装形状 SQUARE
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260
编程电压 1.8 V
座面最大高度 2.16 mm
最大供电电压 (Vsup) 2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
宽度 5.285 mm
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