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IKW25N120H3

IKW25N120H3产品信息：

1200 V IGBT，采用防并联二极管和 TO-247 封装

高速1200 V25 A 第四代硬开关 TRENCHSTOP IGBT，与续流二极管联合封装到 TO-247 封装中，在开关和导通损耗之间实现完美平衡。该系列产品主要特性是与 MOSFET 相类似的关断开关行为，降低关断损耗。

特征描述

  • 专为替代频率低于 70kHz 应用中的平面 MOSFET 设计
  • 极低的开关损耗，提高效率
  • 通过著名的 TRENCHSTOP 技术实现优秀的 Vce(sat) 行为
  • 快速开关行为，低电磁干扰
  • 针对目标应用优化二极管，进一步降低开关损耗
  • 可以选择极低的栅极电阻（低至 5欧姆），同时保持优秀的开关行为
  • 短路能力 5µs
  • Tj(max) 175°C
  • 可以选择带或不带续流二极管的封装，增加设计自由度

优势

  • 开关和导通损耗低
  • 非常优秀的电磁干扰行为
  • 可与小栅极电阻同时使用，缩短延迟时间，减少电压过冲
  • 高电流密度
  • 同类产品中优秀的 1200 V IGBT 效率和电磁干扰行为

潜在应用

  • Industrial Heating and Welding
  • Solutions for solar energy systems
  • Uninterruptible power supply (UPS)

IKW25N120H3数据手册：

IKW25N120H3引脚功能、电路图：

相关型号：

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