描述
L6386E是一种高压栅极驱动器,采用BCD “离线”技术制造,能够同时驱动一个高功耗和一个低功耗MOSFET或IGBT器件。高侧(浮动)部分能够工作电压轨高达600v。两种器件输出分别可以独立sink和source 650ma和400ma,并可以同时驱动高,以驱动非对称半桥配置。L6386E器件提供两个输入引脚,两个输出引脚和一个使能引脚(SD),并保证输出开关与输入的相位一致。逻辑输入是CMOS/TTL兼容,以方便与控制设备的接口。
L6386E集成了一个比较器(内部反向输入参考0.5 V),可以用来保护设备再次故障事件,如过流。DIAG输出是一个诊断引脚,由比较器驱动,用于向控制设备发出故障事件发生的信号。
引导rap二极管集成在驱动器中,可以提供更紧凑和可靠的解决方案。
L6386E器件具有UVLO保护,在两个电源电压(V
(CC)和V
(BOOT))确保更大的保护再次电压下降的供电线路。
该设备可在DIP-14管和SO-14管,以及磁带和卷轴包装选项。