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L6387E

高压高侧和低侧驱动器

L6387E产品信息:

描述

L6387E是一种简单而紧凑的高压栅极驱动器,采用BCD “离线”技术制造,能够驱动功率MOSFET或IGBT器件的半桥。高侧(浮动)部分能够与电压轨高达600v工作。两种设备输出分别可以独立汇聚和源650 mA和400 mA,由于集成联锁功能,不能同时驱动高。L6387E器件提供两个输入引脚和两个输出引脚,并保证输出与输入相切换。逻辑输入是CMOS/TTL兼容,以方便与控制设备的接口。
L6387E在V上具有UVLO保护功能 (CC)电源电压和集成引导rap二极管,允许一个更紧凑和可靠的解决方案。
该设备可在DIP-8管和SO-8管和磁带和卷轴包装选项。
  • 所有功能

    • 高压导轨最高可达600v
    • 全温度范围内dV/dt免疫度±50 V/nsec
    • 驱动电流的能力
      • 400毫安源
      • 650毫安水槽
    • 开关次数50/30 nsec上升/下降与1 nF负载
    • CMOS/TTL Schmitt触发输入与hy eresis和下拉
    • 内部引导rap二极管
    • 输出与输入相一致
    • 联锁功能

L6387E数据手册:

L6387E引脚功能、电路图:

相关型号:

LM75BGD LM75ADP LM75AD LM75BTP LM75BDP
LM75BD LPC5536JHI48 LPC5534JHI48 LPC5536JBD64 LPC5536JBD100
LPC5534JBD64 LPC5534JBD100 LPC51U68JBD64 LPC51U68JBD48 LPC55S69JEV98
LPC55S69JBD64 LPC55S69JBD100 LPC55S66JEV98 LPC55S66JBD64 LPC55S66JBD100
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