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L6392
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高压高侧和低侧驱动器
L6392产品信息:
描述
L6392是一种采用BCD “离线”技术制造的高压器件。它是一种用于n通道功率MOSFET或IGBT的单片半桥门驱动器。高侧(浮动)部分设计为和电压轨道高达600v。逻辑输入是CMOS/TTL兼容到3.3 V,便于微控制器/DSP接口。
该集成电路嵌入了一个运算放大器,适用于先进的电流传感应用,如磁场定向电机控制。
所有功能
高压导轨最高可达600v
全温度范围内dV/dt免疫度±50 V/nsec
司机目前能力:
290毫安源
430毫安水槽
开关时间75/35 nsec上升/下降与1nf负载
3.3 V, 5 V TTL/CMOS输入与hy eresis
集成引导rap二极管
用于先进电流传感的运算放大器
Adju可以停歇时间
联锁功能
简洁的布局
材料减少清单
灵活,简单,外观设计
L6392数据手册:
l6392.pdf
L6392引脚功能、电路图:
相关型号:
LM75BGD
LM75ADP
LM75AD
LM75BTP
LM75BDP
LM75BD
LPC5536JHI48
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