描述

L6498是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。它是一种用于n通道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)部分设计为和直流电压轨道高达500v，与600v瞬态电压。逻辑输入是CMOS/TTL兼容到3.3 V，便于接口控制单元，如微控制器或DSP。
两种器件输出都可以吸收2.5 A和2 A，使L6498特别适合中容量和高容量功率mosfet igbt。
由于集成的联锁功能，输出不能同时驱动高。
独立的UVLO保护电路存在于下和上驱动部分，防止电源开关在低效率或危险的条件下操作。
集成的引导rap二极管以及该驱动程序的所有集成功能使应用PCB设计更简单和紧凑，并有助于减少整体材料账单。