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ASSR-601JV / ASSR-601JT汽车电子R2CouplerR1500 V光电MOSFET的介绍_特性_及应用

来源:HQBUY 发布时间:2020-09-23

摘要: Broadcom的 ASSR-601JV / ASSR-601JT是为汽车应用设计的高压光电MOSFET。ASSR-601JV / ASSR-601JT包含一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级,该输入级光学耦合到高压输出检测器电路。

ASSR-601JV / ASSR-601JT汽车电子R2CouplerR1500 V光电MOSFET


Broadcom的R2Coupler提供增强的绝缘,可提供对汽车和高温工业应用至关重要的安全信号隔离


Broadcom的 ASSR-601JV / ASSR-601JT是为汽车应用设计的高压光电MOSFET。ASSR-601JV / ASSR-601JT包含一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级,该输入级光学耦合到高压输出检测器电路。该检测器由高速光电二极管阵列和驱动器电路组成,用于打开/关闭两个分立的高压MOSFET。通过输入LED的最小输入电流为7毫安时,光电MOSFET导通(触点闭合)。输入电压等于或小于0.4 V时,光电MOSFET关断(触点断开)。


ASSR-601JV / ASSR-601JT汽车电子R2CouplerR1500 V光电MOSFET


ASSR-601JV / ASSR-601JT等效于1FormA机电继电器(EMR),采用16引脚SOIC封装。BroadcomR2Coupler提供增强的绝缘性和可靠性,可提供对汽车和高温工业应用至关重要的安全信号隔离。



ASSR-601JV / ASSR-601JT特征


紧凑型固态双向信号开关

符合AEC-Q101测试指南

汽车温度范围:

? 甲 = -40°C到+ 105℃ASSR-601JV

? 甲 = -40°C到+ 125℃,ASSR-601JT

击穿电压,BV DSS:I DSS = 250 μA时为1500 V

雪崩额定MOSFET

低断态泄漏:

对于ASSR-601JV,在V DS = 1000 V时I OFF <1 μA

对于ASSR-601JT,在V DS = 1000 V时I OFF <5 μA

开启时间:T ON <4毫秒

关断时间:T OFF <0.5 ms

紧凑的表面贴装封装:3亿SO-16

爬电距离和间隙≥8mm(输入输出)

爬电> 5 mm(MOSFET的漏极引脚之间)

导通电阻,I LOAD = 10 mA时R DS(ON) <250Ω

全球安全认证:

IEC / EN / DIN EN 60747-5-5:1414 V PEAK工作电压

UL 1577(5000 V RMS / 1分钟)和CSA



ASSR-601JV / ASSR-601JT应用领域


电池绝缘电阻测量/泄漏检测

用于感测电池的BMS飞跨电容器拓扑

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