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摘要： ROHM半导体公司的BS2103F-E2是一个单片的高低侧栅驱动IC
ROHM Semiconductor公司的BS2103F-E2是一个单片的高低侧栅驱动IC，可以引导高速功率mosfet和IGBT驱动。
该浮动通道可用于驱动n通道功率MOSFET或IGBT在高侧配置，工作高达600 V。
可以使用3.3 V和5.0 V的逻辑输入。
当VCC和VBS低于规定的阈值电压时，欠压锁定(UVLO)电路防止故障。
特性
浮动通道引导操作+ 600v
栅极驱动电源范围从10 V到18 V
内置低压锁定两个通道
3.3 V和5.0 V输入逻辑兼容
匹配两个信道的传播延迟
输出与输入相位一致
应用程序
MOSFET和IGBT高侧驱动应用
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