东芝GT20N135SRA硅n通道IGBT是第6.5代IGBT，由集成在IGBT芯片中的自由二极管(FWD)组成。这IGBT的特点是低饱和电压为1.60 v和运营175°C的最大结温高、0.25µ年代的高速切换。GT20N135SRA硅n通道IGBT是电压谐振逆变器开关，软开关，感应灶台和家电应用的理想选择。

特性

• 6.5一代

• 增强型

• 自由二极管(FWD)单片集成在IGBT芯片

规范

• 高速开关:

• IGBT t (f) = 0.25µs(典型的)

• 低饱和压:

• V (CE(坐))= 1.60(典型的)

• I(C) = 20

• T (a) = 25°C

• 高结温:

• T (j) = 175°C (max)

应用程序

• Voltage-resonant逆变器开关

• 软切换

• 电磁炉和家用电器

包的尺寸