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ROHM IGBT

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A场阻沟槽igbt的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-05-06

摘要： 具有低集电极-发射极饱和电压。

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A场阻沟槽igbt具有低集电极-发射极饱和电压。RGSX5TS65的短路耐受时间为8μs。符合AEC-Q101标准，无铅电镀。

特性

集电极-发射极饱和电压低
抗短路时间8μs

资格AEC-Q101
Pb-free镀铅;通过无铅认证

应用程序

加热器汽车

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