5月17日，日本瑞萨电子通过官网发布公告称，将对其于2014年10月关停的位于日本山梨县甲斐市的甲府工厂投资900亿日元（约7亿美元），以引入新的制造设备，打造成为一家能够制造功率半导体的300毫米晶圆厂，主要生产IGBT、MOSFET，计划于2024年开始试生产。一旦甲府工厂实现量产，瑞萨电子功率半导体的总产能将翻一番。

随着碳中和势头的增长，预计未来多年全球对供应和管理电力的高效功率半导体的需求将急剧增加。瑞萨电子特别预计电动汽车（EV）的需求将快速增长，因此计划提高IGBT等功率半导体的产能，为减碳做出贡献。

瑞萨电子全资子公司瑞萨电子半导体制造有限公司的甲府工厂以前经营150mm和200mm晶圆制造生产线。为了提高产能，瑞萨电子决定利用工厂的剩余建筑，将其恢复为致力于功率半导体的300mm晶圆厂。

瑞萨电子总裁兼首席执行官Hidetoshi Shibata表示：“可持续发展是我们的核心，以'让我们的生活更轻松'为目标，我们希望建立一个可持续的未来，我们的半导体技术和解决方案有助于让我们的生活更轻松。“这项投资使我们能够拥有最大的晶圆制造生产线，专门用于功率半导体，这是实现脱碳的关键。我们将继续进行必要的投资，以提高我们的内部生产能力，同时进一步加强与外包合作伙伴的联系。为了应对中长期需求增长，瑞萨电子始终致力于确保供应安全，以便为我们的客户提供最好的支持。

编辑：芯智讯-浪客剑