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IPS1025HFQ M0T5 VIPower高侧开关的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2023-01-12

摘要: 意法半导体的IPS1025HFQ是M0T5 VIPower技术的单片架构,并组装在QFN48L(8毫米x 6毫米)封装中。




意法半导体的IPS1025HFQ是M0T5 VIPower Technology的单片架构,组装在QFN48L(8毫米x 6毫米)封装中。IC是一种单一的高侧开关装置,可以驱动电容性、电阻性或感性负载,其中一侧连接到地面(高侧开关)。工作电压建议在8.65 V ~ 60v之间,但电源引脚上的击穿电压可达65v。


输出级是一个n通道功率mosfet,典型的R(DS(ON))在环境温度下为12 mOhm,内部限制在2.5 a的最小输出电流。该集成电路可以设置两个电流限制级别(ILIMH-X和ILIML-X),用于智能驱动灯泡等负载和初始峰值电流请求为电容负载的负载。


该开关具有两对电流限制阈值和电平(IPKH,每DPK时间的ILIMH和IPKL, ILIML)和集成诊断的嵌入式保护,使该设备适合实现具有初始峰值电流请求的负载的功能性、健壮性机械。


IPS1025HFQ电源开/关延迟时间小于60 μs,适用于接口类型C(或D)类3的安全完整性级别(SIL)应用需求。STM32 Nucleo的stevali - ifp040v1工业数字输出扩展板提供了一个强大而灵活的环境,用于评估数字输出模块中连接到2.5 a(最大)工业负载的IPS1025HFQ(单高侧智能功率固态继电器)的驱动和诊断能力。


IPS1025HFQ是单片器件,可以驱动电容性,电阻性或感性负载,其中一侧连接到地面。该IC专门设计用于在PLC模块中以极低的功耗驱动重载或在自动售货机应用中驱动单向电机。


特性
  • 8.65 V至60v工作电压范围

  • R(DS(ON)) 12 mOhm (typp。在+ 25°C)

  • 容性负载智能驱动

  • 可编程电流限制值:2.5 A(最大)

  • 启动时传输延迟时间短(小于60 μs),满足接口类型C(或D)的SIL应用需求

  • 感应负载快速消磁

  • 过载和过温保护

  • 情况下超温保护

  • 地面断开保护

  • V (CC)断开保护

  • 过载或过温事件的故障信号

  • 欠压锁定

  • 设计符合国际电工委员会(IEC) 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5

  • 包装QFN48L(8毫米x6毫米)

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