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INFINEON TECHNOLOGIES 120N75CP2

Infineon Technologies AIKQ120N75CP2 Duo Pack EDT2 IGBT的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-06-06

摘要： Infineon Technologies AIKQ120N75CP2 Duo Pack EDT2 IGBT具有750V集极-发射极阻断电压能力。

AIKQ120N75CP2

Infineon Technologies AIKQ120N75CP2 Duo Pack EDT2 IGBT具有750V集极-发射极阻断电压能力。AIKQ120N75CP2具有平滑的开关特性，非常低的VCE(sat)， 1.30V(典型值)，以及非常紧凑的参数分布。该器件还具有低栅电荷QG，并与3个二极管控制的快速软恢复发射极共封装。

特性

750 V集电极-发射极阻塞电压能力
平滑切换的特点
极低VCE(sat)，1.30 V(典型值)
短路的
非常紧密的参数分布
低栅电荷QG
共封装快速软恢复发射极控制3个二极管

符合AEC-Q101要求
在应用中增加过电压裕度
减少所需的并行设备数量
简单的门驱动设计
短路条件下的自限电流
低EMI签名
可靠性高，使用寿命长

应用程序

xEV逆变器
马达驱动

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