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摘要： 具有1.62VDD到1.98VDD的单电源电压范围和时钟速率高达200MHz。
AP内存APSx双数据速率(DDR)八进制SPI psram具有1.62V(DD)到1.98V(DD)单电源电压范围，时钟速率高达200MHz (400MBps读/写吞吐量)，和软件复位。这些设备还具有用于写操作的数据掩码(DM)，用于高速读操作的数据频闪(DQS)，以及具有可编程驱动器强度的输出驱动器LVCMOS。带有DDR OctaRAM模式的八进制SPI是可字节寻址的，并在-40°C到85°C的温度范围内工作。这些设备可在mini-BGA 24L 6mm x 8mm x 1.2mm封装。
单电源电压:
1.62 v (DD) 1.98 v (DD)
1.62 v (DDQ) 1.98 v (DDQ)
时钟速率高达200MHz (400MBps读/写吞吐量)
接口:
带有DDR模式的八进制SPI，每一个时钟周期传输两个字节
软件复位
-40°C至85°C的工作温度范围
APS6408L-OCH-BA
自动温度补偿自清新(ATCSR)内置温度传感器
最大1024字节
最低2字节
300μ@ 105°C
200μ@ 85°C
100μ@ 25°C
64Mb, 8M x 8位，1024字节的页面大小
组织:
最大备用电流:
写突发长度:
包装和混合爆发16/32/64/128长度
低功耗特点:
写操作的DM (Data Mask)
用于高速读操作的数据频闪(DQS)
输出驱动器LVCMOS具有可编程驱动器强度
APS25608N-OCH-BD APS51208N-OCH-BD:
部分阵列自刷新(PASR)
自动温度补偿自新鲜(ATCSR)由内置温度传感器自我管理
超低功率半休眠模式，数据保留
1100μ@ 105°C
680μ@ 85°C
256Mb, 32M x 8位，每页2048字节
AY0 ~ AY10列地址
AX0到AX13行地址
组织:
最大备用电流:
低功耗特点:
写入突发长度，最大2048字节，最小2字节
包装和混合爆发16/32/64/2K长度
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