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摘要： 采用MDmesh K6技术设计的高电压n通道功率MOSFET。
STP80N450K6 800V n -沟道功率MOSFET是一款非常高压的n -沟道功率MOSFET，采用终极MDmesh K6技术设计。该技术基于意法半导体在超结技术方面20年的经验。其结果是每面积上最好的电阻和栅极电荷的应用需要优越的功率密度和高效率。
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