26日讯，村田制作所计划到2028年，对日本金泽村田制作所及仙台村田制作所、芬兰子公司合计投资约100亿日元（约合5亿元人民币），将硅电容器产能提高至目前的3倍水平。目前，硅电容器应用仅限于医疗设备，但未来有望扩展到智能手机和服务器等应用，公司通过投资增加产量来应对需求。

资料显示，硅电容器采用半导体制造工艺制作，其介电层为稳定性更好的硅材料。与当前的主流电容器相比，硅电容器有着更好的电容密度、可靠性、高频特性等优势，老化时间可长达 10 年，其额定温度甚至可高达 250℃，在恶劣环境下有着更好的表现。

不过，目前硅电容器的价格是普通 MLCC 的几十倍，因此其应用范围集中于高附加值、对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。但考虑到硅电容器在轻薄方面的优势，对于内部空间越来越捉襟见肘的智能手机而言，硅电容器也是相当不错的选择。村田制作所的硅电容器厚度可低至 0.05 毫米。

今年 3 月，村田制作所曾宣布将于 2024 年之前向法国子公司投资约 5000 万欧元（当前约 3.92 亿元人民币）以增加硅电容器的产能。此次村田制作所的投资计划，将在两家日本工厂和芬兰子公司建立相同的生产系统，以实现全球化的硅电容器供应。

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