摘要: PANJIT的超低VF桥式整流器系列采用氧化物平面芯片结技术,并具有PI保护层。
PANJIT最新的超低V(F)桥式整流器系列采用氧化物平面芯片结技术。它具有PI保护层,使其能够重新定义各种应用的功率效率和可靠性标准。
超低V(F)桥架系列以其卓越的性能和耐用性脱颖而出。它具有优异的效率,在+125°C时具有0.74 V的低正向电压,减少了能源浪费,优化了功率利用率。在+125°C时,该桥式整流器系列的实际漏电流最小为20µA,即使在最苛刻的条件下,也能保证高效的电力传输,提高系统的可靠性和稳定性。
用户可以受益于超低V(F)电桥系列优越的晶圆制造工艺稳定性。这种稳定性转化为在各种大功率应用中一致的高质量性能。
该系列在设计时考虑了环境。效率优化有利于产品的底线,并有助于一个更绿色,更可持续的地球。该系列还完全符合欧盟RoHS 2.0标准,并根据IEC 61249标准无卤,最大限度地减少了生态足迹。
这些产品提供了出色的功能,为强大的性能技术和可持续发展的未来铺平了道路。
正向大电流:I(F) = 35a
低正向电压:V(F) = 0.74 V
最高工作结温:+175℃(T(J) max);最大限度地提高大功率应用的效率,提高散热能力
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