摘要: 具有高可靠性和小功率的模具型,采用硅外延平面结构。
ROHM Semiconductor PBZTBR1x齐纳二极管具有高可靠性和小功率模型,具有硅外延平面结构。这些齐纳二极管提供1000mW的功耗和150°C的结温。PBZTBR1x齐纳二极管存储在-55°C至150°C的温度范围内。这些齐纳二极管采用DO-214AA(SMB)封装。PBZTBR1x齐纳二极管用于电压调节。
高可靠性
小功率模具类型
硅外延平面结构
1000mW功率损耗
150°C结温
储存温度范围55℃~ 150℃
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