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ULTRA HIGH SPEED 2K x 8 STATIC CMOS RAMS
超高速2K x 8静态CMOS RAMS
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | PYRAMID SEMICONDUCTOR CORP |
| 零件包装代码 | QLCC |
| 包装说明 | QCCN, LCC28,.45SQ |
| 针数 | 28 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| HTS代码 | 8542.32.00.41 |
| 风险等级 | 5.04 |
| 最长访问时间 | 35 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N28 |
| 长度 | 11.4554 mm |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 28 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 2KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC28,.45SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.905 mm |
| 最大待机电流 | 0.015 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 子类别 | SRAMs |
| 最大压摆率 | 0.15 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 11.4554 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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