200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
200针的小型双列直插式内存模块
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | QIMONDA AG |
零件包装代码 | SODIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM200,24 |
针数 | 200 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.36 |
风险等级 | 5.74 |
Is Samacsys | N |
访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.5 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 200 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XZMA-N200 |
JESD-609代码 | e4 |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 200 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 32MX64 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM200,24 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.04 A |
子类别 | DRAMs |
最大压摆率 | 1.216 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Gold (Au) |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.6 mm |
端子位置 | ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
Base Number Matches | 1 |
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