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ROHM半导体RBRxx30ANZ肖特基势垒二极管是阴极通用双型二极管,采用TO-220FN封装。这些二极管采用硅外延平面型结构制造。RBRxx30ANZ barrier二极管提供低V(F)和高可靠性。这些肖特基势垒二极管的典型应用包括开关...
ROHM的超低开关损耗二极管可用于各种电流额定值和封装
ROHM半导体RBQxx65ATL肖特基势垒二极管阴极普通双型二极管,电源模型到263s (D(2)PAK)封装。这些二极管是低V(F),低I(R)和高ESD电阻二极管,提供高可靠性。RBQxx65ATL二极管采用硅外延平面型结构制造,适用...
ROHM半导体RBRxx40ANZ肖特基势垒二极管是用于一般整流的阴极通用双型低V(F)二极管。这些二极管采用硅外延平面型结构制造,采用TO-220FN封装。RBRxx40ANZ barrier二极管提供高可靠性,非常适合于开关电源和一般整...
ROHM半导体RBRxx60ATL肖特基势垒二极管是阴极通用双型低V(F)二极管,具有60V反向直流电压(V(R))。这些二极管提供高可靠性,60V重复反向电压(V(RM)),工作在-55°C到150°C的温度范围内。RBRxx60ATL阻...
ROHM半导体提供其mosfet DC-DC降压变换器和负载开关应用
ROHM半导体RBS5LAM40A肖特基势垒二极管是一种超低V(F)型二极管,提供高可靠性的PMDTM (SOD-128)封装。这个小功率模型二极管具有硅外延平面结构。RBS5LAM40A肖特基二极管具有20V反向直流电压(V(R)), 8...
ROHM半导体RBRxx60ANZ肖特基势垒二极管是阴极通用双型二极管,采用TO-220FN封装。这些二极管采用硅外延平面型结构制造,工作在-55°C至150°C的温度范围内。RBRxx60ANZ barrier二极管提供低V(F)和高可靠...
ROHM半导体RFV系列快速恢复二极管是超快恢复(硬恢复型)二极管,提供高可靠性。这些二极管采用硅外延平面型结构制造,可用于TO-252或TO-220AC (TO-220ACFP)封装。RFV系列二极管具有超低的开关损耗和高电流过载容量。这...
ROHM Semiconductor BM2P PWM(脉冲宽度调制)DC-DC转换器经过优化,可用于带有电源插座的AC-DC设备。BM2P DC-DC转换器同时支持隔离和非隔离设备,从而使各种类型的低功率电气转换器的设计更为简单。
ROHM的原始设计提供高耐压低导通电阻和快速开关速度
ROHM半导体RBQxx45ANZ肖特基势垒二极管是阴极普通型二极管,采用电源模型(TO-220FN)封装。这些二极管采用硅外延平面型结构制造。RBQxx45ANZ barrier二极管具有低I(R)和高可靠性。这些肖特基势垒二极管非常适合...
ROHM Semiconductor BD77501G CMOS运算放大器是一款高速单地感应CMOS运算放大器,其工作电压范围为7V至15V。该运算放大器具有高摆率和低输入偏置电流,因此非常适合各种应用,特别是传感器放大器。BD77501G CMOS运算放大器具有EMI容限,可轻松替换传统产品或简化设计EMI。
ROHM半导体的BM2SCQ12xT-LBZ突发操作在轻负载下降低输入功率
ROHM半导体公司的BD57021MWV发射器和BD57011AGWL接收器通过WPC Qi 1.2.2基准功率配置文件认证
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