UnitedSic推出了UF3C / UF3SC系列SiC FET，该FET基于独特的级联配置设计，可提供更高的开关速度，更高的效率和更低的损耗。同时，他们还为大多数TO-247-3L IGBT，Si-MOSFET和SiC-MOSFET零件提供了“嵌入式”替换解决方案。这有助于在不更改现有门电路的情况下进行系统升级以获得更高的性能和效率。的接通损耗可以减小基于在的Qrr减少50％。对于大电流使用，需要一个小型，低成本的RC缓冲器，这也简化了EMI设计。

UF3C / UF3SC系列的特点

650V和1200V

低RDS（on）从7mohm到150mohm

出色的体二极管性能（Vf <2V）

用任何Si和/或SiC栅极驱动电压驱动

集成式ESD和栅极保护

全套工业标准套件-TO-220-3L，D2PAK-3L，TO-247-3L和-4L（开尔文）

此UF3C / UF3SC FET系列具有将近20个FET，每个FET的RDS（导通）值范围为7mohm至150mohm，I D max范围为31A至120A。有关UF3C / UF3SC系列的更多信息  ，请访问United SiC官方网站上的产品页面。随附UF2SC065007K4S的数据表，以获取完整的技术规格。