摘要: J201是用于放大目的的通用JFET晶体管。它采用TO-92和SOT-23封装制造。该晶体管在其小封装中具有一些良好的特性,例如低截止电压,非常低的噪声和高增益等。这些特性可以在要求更高增益和信号的低噪声放大的情况下很好地发挥作用。此外,由于其低至1.5V的低功耗工作能力,它非常适合在电池供电的电路中使用。
J201是用于放大目的的通用JFET晶体管。它采用TO-92和SOT-23封装制造。该晶体管在其小封装中具有一些良好的特性,例如低截止电压,非常低的噪声和高增益等。这些特性可以在要求更高增益和信号的低噪声放大的情况下很好地发挥作用。此外,由于其低至1.5V的低功耗工作能力,它非常适合在电池供电的电路中使用。
封装类型: TO-92
晶体管类型: N通道
从栅极到源极施加的最大电压:– 40
漏极至栅极的最大电压应为: 40V
最大连续栅极电流为: 50mA
最小至最大栅极至源极截止电压: -0.3至-1.5
最大功耗为:3 50mW
最高存储和工作温度应为: -55至+150摄氏度
低噪声,高增益
2N4338,2N4339,2N4340,2N4341,2N5458,2N5459,2N5457,NTE458(注:相当于晶体管可以从不同J201的针的配置,因此建议查询的晶体管的管脚配置使用的是在J201的地方)
为了从J201 FET晶体管获得长期可靠的性能,请驱动大于50mA的负载,不要将栅极至源极的电压从-40V增加到漏极至栅极的电压从40V升高。并始终在高于-55摄氏度和低于+150摄氏度的温度下存储和操作晶体管。
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