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摘要： STMicroelectronics' PWD13F60高密度集成功率MOSFET用于各种应用
意法半导体公司的PWD13F60是一个完整的600v集成功率MOSFET全桥，13 mm x 10 mm外形内嵌栅极驱动器。它节省了工业电机驱动器、灯镇流器、电源供应器、转换器和逆变器的材料成本和板空间。
PWD13F60的占地面积比由分立元件制成的同类电路小60%，可以提高终端应用的功率密度。通过集成四个功率mosfet，为直流电机提供了一种独特的高效解决方案;这是市场上其他典型的双场效应晶体管半桥或六场效应晶体管三相器件的真正替代品。与这两种选择不同的是，只需要一个PWD13F60来实现一个完整的桥接拓扑，没有内部MOSFET未使用。
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