摘要: Taiwan Semiconductor的mosfet适用于高环境温度应用
TSC的40 V和60 V n通道MOSFET家族具有额定结温度175°C适用于高温环境应用。这些器件提供逻辑或标准门限值电压电平和广泛范围的漏源极导通电阻(R(DS(ON)))电平,用于灵活和健壮的功率开关设计。门漏电荷/门源电荷(Q(gd)/Q(gs))和反向恢复电荷(Q(rr))参数经过优化,以改善性能指标和降低电磁干扰,并在冷负荷启动和冲击时提供更高的浪涌电流能力。mosfet封装在小尺寸PDFN56封装中,用于提高应用中的功率密度。
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