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罗姆半导体BM6021x高、低侧驱动器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-06-21

摘要： 罗姆半导体BM6021x高侧和低侧驱动高达1200V，通过自举操作，可以驱动n通道功率MOSFET和igbt。BM6021x高、低侧驱动器具有内置米勒钳和欠压锁定(UVLO)功能。ROHM Semi BM6021x高电压，高和低侧驱动器...

罗姆半导体BM6021x高侧和低侧驱动高达1200V，通过自举操作，可以驱动n通道功率MOSFET和igbt。BM6021x高、低侧驱动器具有内置米勒钳和欠压锁定(UVLO)功能。ROHM Semi BM6021x高电压，高和低侧驱动器是专为MOSFET栅驱动和IGBT栅驱动应用而设计的。

特性

AEC-Q100合格
高侧浮置电源电压
活跃的米勒夹紧

欠电压锁定功能
兼容3.3V和5.0V输入逻辑

应用程序

MOSFET栅极驱动程序
IGBT门驱动器

典型应用电路

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