Alliance memory低功耗sdram是高性能CMOS动态ram (DRAM)，具有64ms刷新周期(4K周期)。这些器件具有先进的电路设计，以提供低的有功电流和极低的待机电流。低功耗特性包括自动温度补偿自刷新(TCSR)、部分阵列自刷新省电模式、深度下电模式和驱动器强度控制。

移动低功耗sdram支持133MHZ/166MHZ的高速，工作在-40°C到85°C的工业温度范围。这些四元组设备可提供128M、256M和512M密度4Mx32、8Mx16、8Mx32、16Mx32和32Mx16组织。移动低功耗sdram与JEDEC标准LP-SDRAM规格兼容。

特性

• 标准的内部功能

• 1, 2, 4, 8，或全页可编程突发长度

• 64ms刷新周期(8K周期)

• 高速数据传输速率高达166MHz

• 可用的配置:

• 32Mbit x 16组织机构

• 16Mbit x 32组织机构

• 16Mbit x 16组织

• 8Mbit x 32组织机构

• 8Mbit x 16组织机构

• 4Mbit x 32组织机构

• 128密度

• 256密度

• 512密度

• 自动刷新和自刷新

• 下电节点，进入时钟暂停模式

• 电平兼容性

• 低功耗特点:

• 自动温度补偿自刷新(Auto TCSR)

• PASR (Partial Array Self Refresh)节能模式

• DPD (Deep Power Down)模式

• 驱动强度(DS)控制

• 可用的软件包:

• FBGA 54-ball (8 x9mm)

• 90 - (8 x13mm) FBGA球

• -40°C至85°C

• 不含铅和卤素

逻辑框图