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摘要： 使用Transphorm公司第四代平台的正常关闭设备。
SuperGaN FET是一种使用Transphorm公司Gen IV平台的常关器件。它结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET。该设备提供卓越的可靠性和性能，并与SuperGaN 平台，它使用先进的外延和专利设计技术，以简化可制造性。通过降低栅电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，这提高了硅的效率。
AEC-Q101合格的GaN技术
动态RDS(on)eff产品测试
由定义的健壮设计
宽闸门安全裕度
瞬态过电压的能力
增强涌流能力
非常低的QRR
减少交叉损失
操作结温175°C
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