PANJIT的第一代碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)是为电气工程师开发的，用于设计性能更高、散热更低的系统。快速恢复二极管(FRD)在关断操作时有一些反向恢复电流，当主开关打开时产生额外的开关损耗。相比之下，肖特基势垒二极管没有反向恢复电流，因此可以在较高的开关频率下使用，但由于漏电较大，击穿电压较低

SiC器件比硅器件具有更高的带隙能，这意味着非常低的泄漏电流。此外，碳化硅器件具有更高的电子速度，因此具有比硅器件更好的开关性能。PANJIT的SiC SBD Gen.1经过优化，对正向电压(V(F))具有较低的温度依赖性，因此在高温运行时可以抑制传导损失。

PANJIT的SiC SBD Gen.1通过在金属接触区添加P+层，具有结障肖特基(JBS)结构。这样可以大幅度提高浪涌电流容量，有利于保证冷启动系统运行的系统级可靠性。PANJIT的SiC SBD Gen.1系列具有650 V和1200 V的击穿电压，4 A到20A的额定电流，以及to - 220ac、to -263和to - 252aa等各种离散封装。