摘要: Qorvo QPD2060D 600µm离散GaAs pHEMT(伪晶高电子迁移率晶体管)具有直流至20GHz的工作频率。
Qorvo QPD2060D 600µm离散GaAs pHEMT(伪晶高电子迁移率晶体管)具有直流至20GHz的工作频率。QPD2060D通常在P1dB时提供28dBm输出功率,增益为12dB,在1dB压缩时提供55%的功率增加效率。这种性能使得QPD2060D适合于高效率的应用。
QPD2060D采用0.25 μ m功率的pHEMT生产工艺设计。该工艺具有先进的技术,以优化微波功率和效率在高漏偏操作条件下。
Qorvo QPD2060D GaAs pHEMT提供0.41mm x 0.34mm x 0.10mm裸模。该装置具有氮化硅保护涂层,具有高的环境鲁棒性和防刮性。
直流到20GHz的频率范围
28dBm典型输出功率P1dB
12dB典型增益在12GHz
55%典型PAE在12GHz
1.4dB典型噪声因子在12GHz
8 v漏极电压
97毫安漏极电流
0.25 μ m GaAs pHEMT工艺
0.41mm x 0.34mm x 0.10mm裸模
无卤、无铅、符合RoHS标准
通信
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点对点无线电
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