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摘要： 东芝的AEC-Q n通道功率mosfet在L-TOGL封装实现超低导通电阻，高漏极电流额定值和高散热。
东芝的40 V n通道功率mosfet XPQR3004PB和XPQ1R004PB通过将高散热封装L-TOGL(大型晶体管轮廓鸥翼引线)与U-MOS IX-H芯片工艺相结合，实现了超低导通电阻，高漏极电流额定值和高散热。
L-TOGL封装在尺寸上与现有的to - 220sm (W)封装相当，但是，XPQR3004PB大大提高了电流额定值，并显著降低了导通电阻至0.23 毫欧 typ。与相同尺寸的to - 220sm (W)封装相比，L-TOGL优化的封装占地面积还有助于改善热特性。
结合这些特性，东芝的产品提供高电流能力和高散热，以帮助提高各种汽车应用中的功率密度。
AEC-Q101合格
低漏源导通电阻:
XPQR3004PB R (DS(上))= 0.23欧姆(typ。)(V (g) = 10)
XPQ1R004PB R (DS(上))= 0.80欧姆(typ。)(V (g) = 10)
低漏电流:I(DSS) = 10µA (max) (V(DS) = 40 V)
增强方式:V(th) = 2.0 V ~ 3.0 V(V(DS) = 10 V, I(D) = 1.0 mA)
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