英飞凌的碳化硅(SiC) CoolSiC mosfet基于最先进的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现应用中最低的损耗和最高的运行可靠性。分立CoolSiC MOSFET产品组合有650 V, 750 V, 1200 V, 1700 V和2000 V电压等级，导通电阻额定值从7 毫欧到1000 毫欧。CoolSiC沟槽技术可实现灵活的参数设置，以在各自的产品组合中实现特定于应用的功能，例如，门源电压、雪崩规格、短路能力或内部体二极管额定电压 艰难的变换。

第二代CoolSiC 1200 V系列采用d2 PAK-7L (TO-263-7)封装，适用于工业应用。它建立在一代人的力量之上 在硬交换操作和软交换拓扑结构的关键性能指标上有重大改进的技术，适用于所有通用 AC/DC、DC/DC和DC/AC级组合。

REF-DR3KIMBGSIC2MA SiC参考设计由两个pcb组成，包括驱动电路和用于伺服电机和驱动器的三相逆变器。优点包括高功率密度，无冷却风扇的被动冷却，以及PCB直径仅为110毫米的超小占地面积。

CoolSiC G2与G1的比较

• 提高芯片性能:与典型负载用例相比，功耗降低5%至20%

• 改进的。xt封装互连:耐热性提高12%，R(th(j-c))

• 优秀的R(DS(on))和粒度组合:G2中的8个毫欧与G1中的30个毫欧相比，12个产品实现了最佳产品选择

• 过载操作高达T(vj) = 200和雪崩稳健性在G2

• G2高温下的最大R(DS(on))

• 鲁棒短路额定值:2µs

• 放大最大栅源电压:- 10v ~ + 23v

• 高可靠性:保持G1验证水平，DPM率非常低