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摘要： 高水平的SiC性能，同时满足AC-DC, DC-DC和DC-AC的最高质量标准。
英飞凌CoolSiC G2 mosfet具有优异的SiC性能，同时满足所有常见电源方案组合(AC-DC、DC-DC和DC-AC)的最高质量标准。与硅替代品相比，SiC mosfet为光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源和电机驱动提供了额外的性能。
英飞凌CoolSiC G2 mosfet进一步推进了独特的XT互连技术(例如，在分立外壳TO-263-7, TO-247-4中)，克服了在保持热性能的同时提高半导体芯片性能的共同挑战。G2的热性能提高了12%，将芯片性能提升到SiC性能的稳健水平。
650V/1200V CoolSiC MOSFET G2
最低可用R(DS(on))
最大的产品组合
独特的健壮性选项
smp
太阳能光伏逆变器
能量储存和电池形成
电动车充电基础设施
马达驱动器
字符串逆变器
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