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PANJIT的超级结mosfet经过优化,为AC/DC和DC/DC转换器等设备的功率转换电路设计提供了简单和高效的设计支持。
PANJIT的CMDRBR熟练地模拟了原始交流桥式整流二极管的工作行为,驱动和控制了低导通电阻,高压电源开关(如超级结MOSFET),并优化了交流整流块的效率。
SMA封装具有低正向压降和低漏电流的特点。
PANJIT的30 V和40 V汽车mosfet的性能得到了改善,使它们比前几代产品更高效,同时消耗更少的能量。
低Vce(sat)晶体管是AEC-Q101合格的高集电极电流能力。
PANJIT的屏蔽栅沟槽(SGT) MOSFET设计具有优秀的FOM质量,为砖型模块中的DC/DC变换器拓扑提供设计解决方案。
PANJIT的谐振反激控制器在封装中集成了高侧650 V/4 a 1.2 欧姆 MOSFET。与传统反激系统中使用的无源缓冲器电路(有损缓冲器)不同,该反激控制器利用有源缓冲器电路(无损缓冲器)更有效地利用反激系统中的额外能量(漏感和杂散元件)(能量回收)。
具有低正向压降和低功率损耗的特点。
专为各种应用,重点是印刷电路板。
提供零反向恢复电流,低正向压降。
PANJIT MBR5H60PC-AU肖特基阻挡整流器是一种表面贴装的超低反向电流(I(R))整流器,最大循环峰值反向电压为60V。
在SOT-323包中提供快速的切换速度。
PANJIT 5KMC瞬态电压抑制(TVS)二极管可维持5W峰值脉冲功耗(tp = 10μs/1000μs)。
提供从20V到100V的电压范围与2A电流在一个SOD-123FL塑料外壳封装。
在SMAF-C封装中提供低功耗、高效率和高浪涌电流能力。
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