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东芝TW070J120B 1200V SiC n沟道MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-08-05

摘要： 东芝TW070J120B 1200 v SiC N沟道MOSFET特征较低(70欧姆)R (DSon) TO-3P (N)包。这种新结构通过在电池内部并联一个SBD来防止PN二极管的激励。由于嵌入式SBD的导通电压比PN二极管的低，电流流过S...

东芝TW070J120B 1200 v SiC N沟道MOSFET特征较低(70欧姆)R (DSon) TO-3P (N)包。这种新结构通过在电池内部并联一个SBD来防止PN二极管的激励。由于嵌入式SBD的导通电压比PN二极管的低，电流流过SBD，抑制了导通电阻的变化和MOSFET可靠性的降低。嵌入sbd的mosfet在实际应用中，但仅在3.3kV左右的高压下使用。通常，嵌入的sbd会导致导通电阻上升到只有高压产品才能忍受的水平。东芝TW070J120B调整了各种参数，发现MOSFET中SBD面积的比例是抑制导通电阻增加的关键。通过优化SBD比率，东芝公司创造了一个高度可靠的1.2kV级SiC MOSFET。

特性

第二代(内置SiC肖特基势垒二极管)芯片设计
V(DSF) = -1.35V (typ.)低二极管正向电压
V(DSS) = 1200V高压

R (DS ) = 70欧姆(typ)低漏源极导通电阻
V(th) = 4.2 ~ 5.8V (V(DS) = 10V, I(D) = 20mA)阈值电压高，不易发生故障
增强型

应用程序

逆变器
能量储存
电信电力

电动汽车充电
太阳能
工业强国

测试电路,时间图

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