摘要: 650V, 60毫欧(类型)和47A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V, 60毫欧(类型)和47A单n沟道MOSFET,采用紧凑高效的设计,具有高热性能。与硅相比,该MOSFET采用了一种全新的技术,提供了卓越的开关性能和高可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。NVHL060N065SC1功率MOSFET具有高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。该MOSFET通过AEC-Q101认证,具有ppap能力。典型的应用包括汽车车载充电器和电动汽车(EV)的汽车DC/DC转换器。
650V (V(DSS))漏极到源电压
低电容高速开关(C(OSS) = 133pF)
典型R(DS(on))=44毫欧 @ V(GS)=18V
典型R(DS(on))=60毫欧 @ V(GS)=15V
超低栅极电荷(Q(G(t))=74nC)
通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力
无铅,符合rohs标准
100%雪崩测试
车载充电器
用于EV/HEV的汽车DC/DC变换器
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