电子元器件产业互联网平台
一站式电子元器件采购平台
元器件移动商城,随时随地采购
半导体行业观察第一站!
专注电子产业链,坚持深度原创
电子元器件原材料采购信息平台
80V, 13.9毫欧和40A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。
单侧冷却模块,平板底板,用于汽车750V和660A实现电流。
650V, 60毫欧(类型)和47A单n沟道MOSFET采用紧凑高效的设计。
onsemi NTBLS0D08X适合追求MOSFET性能的工程师。它提供了优越的效率和提高开关特性。
捕捉图像在高动态范围模式或线性与滚动快门读出。
单n沟道MOSFET采用5mm x 6mm LFPAK封装,设计紧凑高效。
为交流感应,无刷直流和永磁同步电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。
onsemi的NTBLS1D5N10MC单n沟道功率MOSFET以最小的能量损耗高效地为应用提供动力。
汽车领域停止4 (FS4) 750V, 640A单侧直接冷却6包电源模块。
采用硅栅CMOS技术制造。
onsemi的NTHL SiC mosfet具有低导通电阻和紧凑的芯片尺寸。
onsemi的NCS20164运算放大器工作在1.8 V至5.5 V的电源范围内,无缝集成到现有系统中,并开辟了新的可能性。
具有温度无关开关,优异的热性能,并降低EMI。
onsemi的NTBG070N120M3S 1200V M3S SiC mosfet是为速度而设计的,由于采用平面技术,可以摆脱负栅极电压和栅极尖峰。
紧凑设计,2相,双半桥,80V汽车功率MOSFET模块。
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308
登录
请问您是:
采购商 工程师 在校学生 其他
您希望看到什么内容:
电子资讯 技术文章 PDF资料 电子论文 其他