该公司的QPD1008是基于SiC HEMT的125 W (P3dB)宽带不匹配离散GaN,工作在DC至3.2 GHz和50V供电轨。该设备采用工业标准的空腔封装,非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲、连续波和线性操作。
无铅,ROHS标准。
评估委员会可根据要求提供。
Frequency Min(MHz) | DC |
Frequency Max(MHz) | 3,200 |
Gain(dB) | > 17 |
Psat(dBm) | 52 |
PAE(%) | 70 |
Vd(V) | 50 |
Idq(mA) | 260 |
Package Type | NI-360 |
RoHS | Yes |
Lead Free | Yes |
Halogen Free | Yes |
ITAR Restricted | No |
ECCN | EAR99 |
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布,推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和