QPD9300是一个30w (P3dB)内部匹配的分立GaN在SiC HEMT上,工作在9.2 - 9.7 GHz和28 V供电轨。该设备完全匹配50 欧姆在一个行业标准的空腔封装,是理想的适合于军事和民用雷达。该装置可支持脉冲和线性操作。
通过无铅认证。
评估委员会可根据要求提供。
有关GaN热性能的更多信息,请参阅以下应用说明和视频。
Frequency Min(MHz) | 9,200 |
Frequency Max(MHz) | 9,700 |
Gain(dB) | 9.1 |
Psat(dBm) | 34.3 |
Drain Efficiency(%) | 48.6 |
Vd(V) | 25 |
Idq(mA) | 240 |
Package Type | EHS Laminate |
Package(mm) | 7 x 7 |
RoHS | Yes |
Lead Free | Yes |
Halogen Free | Yes |
ITAR Restricted | No |