QPD1019是基于SiC HEMT的500 W (P3dB)内部匹配离散GaN器件,工作频率为2.9 - 3.3 GHz,供电轨为50V。该设备是GaN IMFET完全匹配50欧姆的工业标准空腔封装,非常适合军用雷达。
无铅,ROHS标准。
评估委员会可根据要求提供。
Frequency Min(MHz) | 2,900 |
Frequency Max(MHz) | 3,300 |
Gain(dB) | 15.5 |
Psat(dBm) | 57.7 |
PAE(%) | 67 |
Vd(V) | 50 |
Idq(mA) | 750 |
Package Type | RF-565 |
RoHS | Yes |
Lead Free | Yes |
Halogen Free | Yes |
ITAR Restricted | No |
ECCN | 3A001.B.3.A.3 |