QPD1009是一个15w (P3dB)分立GaN在SiC HEMT上,从DC工作到4ghz。该装置采用经过验证的QGaN25HV工艺,具有先进的现场极板技术,可在高漏偏置操作条件下优化功率和效率。这种优化可以潜在地降低系统成本,包括更少的放大器线路和更低的热管理成本。
该器件采用行业标准的3 × 3毫米表面贴装QFN封装。
无铅,ROHS标准。
评估委员会可根据要求提供。
有关GaN热性能的更多信息,请参阅以下应用说明和视频。
Frequency Min(MHz) | DC |
Frequency Max(MHz) | 4,000 |
Gain(dB) | 24 |
Psat(dBm) | 42.3 |
PAE(%) | 72 |
Vd(V) | 50 |
Idq(mA) | 26 |
Package Type | QFN |
Package(mm) | 3 x 3 |
RoHS | Yes |
Lead Free | Yes |
Halogen Free | Yes |
ITAR Restricted | No |
ECCN | EAR99 |
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布,推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和