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ROHM的REFLVBMS001-EVK-001评估板配备了电源IC(降压DC/DC转换器IC)和复位IC(电压检测器IC),采用独创的Nano Energy 超低电流消耗技术。
阴极普通双型低VF二极管与30V反向直流电压在D2PAK或DPAK封装。
独特的电阻元件图案和激光修整技术。
ROHM Semiconductor第四代n通道碳化硅(SiC)功率mosfet提供低导通电阻,改善了短路耐受时间。
集成两种颜色,黄绿和红色,在一个紧凑的3412(1305)封装。
具有超低VF, 20V反向直流电压(VR), 3A整流正向电流(IO)。
采用低导通电阻/高速开关,提高功率转换效率和减小尺寸。
基于集成了1700V SiC MOSFET的BM2SC123FP2-LBZ交直流变换器的参考设计。
具有内置过流保护功能,热关机和主动箝位功能。
ROHM的AEC-Q101兼容mosfet采用沟槽栅极结构
I2C总线eeprom专为双线制汽车设计,符合AEC-Q100标准。
ROHM半导体公司的BS2103F-E2是一个单片的高低侧栅驱动IC
IPM集成了栅极驱动器、引导二极管、igbt和飞轮二极管。
ROHM的BD9S402MUF-CE2 buck DC/DC转换器IC内置MOSFET,用于汽车应用,如信息娱乐和高级驾驶辅助系统。
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