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onsemi的NTH4L040N120M3S和NTHL022N120M3S在使用18 V栅极驱动器驱动时提供最佳性能,但也可以使用15 V栅极驱动器。
具有低RDS(on),确保高效的电源管理。
具有高效和一次侧调节(PSR)辅助电源。
具有两个3毫欧或4毫欧 1200V SiC MOSFET开关和一个带有HPS DBC或Si3N4 DBC的热敏电阻。
onsemi的评估板是用于Strata Developer Studio
在衰减器、射频开关和高频应用中具有低rs特性。
具有较低的Qrr和较软的恢复体二极管,以确保有效的能源管理。
由两个40毫欧/1200V SiC mosfet和两个40A/1200V SiC二极管组成。
mosfet具有低RDS(ON)、超低Qg和低Qg × RDS(ON),一个关键的优点(FOM)。
适合设计高性能离线电源转换器。
1200V M3S平面EliteSiC MOSFET设计用于快速开关应用。
onsemi提供高效LED照明解决方案的LED驱动器
一个完整的节点到云平台,可以为广泛的应用程序实现智能图像捕获。
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