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由栅极驱动器、引导二极管、igbt和飞轮二极管组成。
为了满足现今和新兴点火系统对排放和高燃油效率的严苛要求,汽车设计人员需要更高性能的点火线圈驱动器技术。为帮助设计人员满足这些要求,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出了在较小的占位面...
IGBT门驱动器具有2.5kVrms内部电隔离和DESAT短路保护。
意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)IGBT[1]具有平顺、无拖尾电流的关机特性,饱和电压更是低达1.8V,最大工作结温高达175°C,这些优点将有助于开发人员提高系...
意法半导体STGWA20IH65DF 650V 20A软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)具有专有的沟槽栅场截止结构,并针对软交换实现了导通和开关损耗方面的优化。包括具有低正向压降的续流二极管。结果是专门设计用于最大程度提高谐振和软开关应用效率的设备。
2014 年3月25日,Vishay Intertechnology宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器...
太阳能光伏发电的实质就是在太阳光的照射下,太阳能电池阵列(即PV组件方阵)将太阳能转换成电能,输出的直流电经由逆变器后转变成用户可以使用的交流电。以往的光伏发电系统是采用功率场效应管MOSFET构成的逆变电路。
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件,包括25...
Amantys今日宣布推出一款针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管(IGBT)栅极驱动器,其工作电压为4500V,额定电流从400A至1200A,它专为支持包括ABB、Dynex、日立、英飞凌和三菱等制造商的模块...
ON Semiconductor安森美半导体AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT是第四代高速场终止型IGBT,非常适合用于汽车应用。AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT为硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。安森美半导体AFGHL40T65SQD和AFGHL50T65SQD IGBT符合AEC Q101标准,具有超低开关和导通损耗。
STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT基于先进、专有的沟槽式栅极场终止结构演进而来。HB2系列以较低的电流值和较低的开关能量,通过高级VCE(sat) 优化导通。STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT在20A IC时具有1.65V(典型值)低 VCE(sat)。
IGBT模块,沟槽/Fieldstop IGBT4,发射极控制二极管和隔离的AlSiC基板。
英飞凌Infineon Technologies 1200V PIM IGBT模块基于最新的微图案沟槽技术提供TRENCHSTOP?IGBT7和EC7二极管技术。该技术可大大减少损失,并提供高度的可控性。
飞兆半导体日前推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机,此新型IGBT 系列将帮助电源工程师在其设计中实现更好的效率和可靠性。&...
国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列,针对工业电机驱动及不间断电源(U...
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