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安森美半导体AFGHL40T65SQ和AFGHL50T65SQ IGBT是第四代高速场终止型IGBT,非常适合用于汽车应用。AFGHL40T65SQ和AFGHL50T65SQ IGBT为硬开关和软开关拓扑提供最佳性能,并符合AEC Q101标准,具有超低开关和导通损耗。
5月19日,英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的 650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越,而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多...
全球功率管理技术领导厂商——国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,能够在最高3kW的不断电系统 (UPS) 及太阳能转换器中,减少高达30%的功率损耗。该批新特定应用产品系列采用IR最新一代的场终止沟槽栅技术,可...
英飞凌科技股份有限公司日前推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。有了专为混合动力/电动汽车 (HEV) 的主逆变器而设计的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驱动器,汽车系统供应商便能够更轻松地设计出更具成本效益...
高电流单通道IGBT门驱动器与2.5kVrms内部电隔离。
意法半导体公司的软开关IGBT是一种650v的快速共封装二极管
1200V 15A汽车用场止槽igbt具有10µs的短路容错。
东芝公司(Toshiba Corporation)近日宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器,可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。新产品TLP250H的最大传输延迟时间为500ns,光电耦合器间的传输延...
一个950V, 200A双升压模块,1200V CoolSiC 二极管,TRENCHSTOP IGBT7, NTC和PressFIT。
ROHM公司的RGWxx65C系列采用SiC SBD作为IGBT的自由旋转二极管
MCC的IGBT采用沟槽场停止技术,提供了优越的电流导通能力和低导通损耗和低开关损耗。
意法半导体汽车级400 V和450 V夹紧igbt显示出卓越的SCIS强度
全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)已经扩充其短路额定IGBT产品组合,为电机驱动设计者提供更高的效率、功率密度和可靠性,以便支持低损耗和短路耐用性至...
在小封装中提供低集电极-发射极饱和电压。
650V 60A场停槽IGBT具有2µs的短路容忍。
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